PulsPlasma®тонкая очистка
Описание процесса
Благодаря процессу PulsPlasma®тонкая очистка возможно удалять без использования растворителей остатки жиров, масла и остатков краски с поверхности сталей, цветных металлов, пластмасс, стекла и керамики. Т.о. достигается тонкая очистка или обезжиривание поверхностей.
В противоположность традиционным способам очистки очистка в плазме имеет много преимуществ:
|
|
|
|
При очистке в плазме кислород при комнатной температуре ионизируется с помощью плазмы в вакуумной камере. Ионы кислорода сжигают органические загрязнения без нагрева с образованием двуокиси углерода без влияния тепла на детали. Таким образом, процесс очень удовлетворяет экологическим требованиям, так как в процессе очистки применяется кислород и образуется как продукт реакции неядовитый CO2.
Для обработки в плазме очищаемые детали помещаются в вакуумную камеру. процесс очистки включает следующие ступени:
|
|
|
В зависимости от процесса частота плазмы может составлять:
|
|
|
Затем начинается процесс очистки, который может занимать от нескольких секунд до 30 минут, пока все загрязнения не будут устранены.
Этот процесс очистки в особенности применим там, где требования к чистоте поверхности особенно высоки. Как пример можно привести пример склеивания и окраски металлических деталей и очистка печатных плат.
Применение
Тонкая очистка в плазме применяют для конструктивных элементов электроники, чтобы устранять даже самые маленькие следы углеводородов и оксидов, чтобы гарантировать уверенное запаивание конструктивных элементов. Конструктивные элементы для микрочипа очищаются плазмой, т.к. необходимую степень чистоты нельзя обеспечить другим методом очистки.
Детали, которые подвергаются пайке, также могут быть очищены плазмой с высокой эффективностью. Такая очистка позволяет обеспечит высокое качество спая.
Поделиться с друзьями: